プラズマ工学研究室の研究について

私たちの研究室では、3つのグループに分かれて研究を行っております。

チーム・堆積
チーム・発光
チーム・電子スオーム


チーム・堆積
プラズマCVD法によるSiC薄膜堆積

半導体素子として、期待されているSiCはSi半導体素子より高効率のパワー素子、高周波素子や耐放射線性の半導体素子が作製可能です。

本研究室は、シラン系材料ガスであるテトラメチルシラン(TMS,Si(CH3)4)を使用して、プラズマCVD法により、SiC薄膜堆積を行っています。プラズマCVD法とは、非平衡な弱電離気体プラズマを利用した成膜技術で、本研究でも良質なSiC薄膜を生成することを目指しています。得られた堆積膜はフーリエ変換型赤外吸収分光法(FT-IR)などを用いて、分析します。

●フーリエ変換型赤外吸収分光法(FT-IR法)
フーリエ変換型赤外吸収分光 (FT-IR:Fourier Transform InfraRed spactrophotometer)法とは、赤外分光計によって、赤外光を干渉し、その干渉光を物質にあてて、透過あるいは、反射した干渉光をAD変換し、干渉信号をフーリエ変換することにより赤外スペクトルを測定することです。

本研究室で使用しているのは、BOMEM社製MB100です。


チーム・発光
プラズマCVD法による発光分光測定


画像上:装置全体図
画像下:水素プラズマの発光

本研究は、プラズマ発生時の発光を観測することにより、反応容器内でどのような化学反応が起こっているのかを解明することを目的としています。

光の色は、波長によって決まるため、特定の波長のみを通過させる装置を用いて、どの気体分子が発光に寄与しているのかを分析します。

実験中は、微弱な光を増幅する光増幅器(イメージインテンシファイア)の破損を防ぐために、部屋の明かりを全て消した状態で行います。

・ANELVA製プラズマCVD装置
・イメージインテンシファイア2台
・光電子増倍管
・アルカテルロータリーポンプ
・複合分子ポンプ
・13.56MHz RF電源


チーム・電子スオーム
スオームパラメータの解析
工事中!